タグ：オン抵抗
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SiC MOSFETの信頼性を10倍向上させるデバイス構造を開発――MOSFETの内部にSBDを搭載 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年7月30日、SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発したと発表した。MOSFETの内部にショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載した構造が特徴で、オン抵抗の上昇を…詳細を見る-
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低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETを開発――車載主機インバータシステムの小型化／高効率化に貢献 ローム
ロームは2020年6月17日、低オン抵抗の「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発したと発表した。既存市場に加え、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源への採用を加速させ、さら…詳細を見る-
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産総研などが開発のトレンチゲート型SJ-MOSFET、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成――EVの電力変換システムなどで利用へ
産業技術総合研究所（産総研）は2018年12月4日、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2kV耐電圧クラスのトレンチゲート型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発したと発表した。富士電機、住友電気工業、トヨタ…詳細を見る-
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