マルチセルGaN－HEMTに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：マルチセルGaN－HEMT

• 
  • 2019-9-3
  • ニュース, 製品ニュース, 電気・電子系
  • トランジスタ, マルチセルGaN－HEMT, 三菱電機, 単結晶ダイヤモンド, 放熱基板, 産業技術総合研究所, 産総研, 窒化ガリウム

  単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセルGaN－HEMTを開発――移動体通信基地局や衛星通信システムなどの省エネに貢献　三菱電機

  三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所（産総研）と共同で、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN－HEMT（窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ）を、世界で初めて開発したと発表した。 …

  詳細を見る

  • Tweet
  -
  •