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タグ：日邦プレシジョン

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  • 2021-9-17
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • GaN半導体, 大阪大学, 日邦プレシジョン, 研究, 非接触, 非破壊, 高精度テラヘルツエリプソメトリ

  半導体の非破壊評価の精度を10倍以上に――高精度テラヘルツエリプソメトリを改良　大阪大ら

  大阪大学は2021年9月15日、同大学のレーザー科学研究所と日邦プレシジョンなどの研究グループが高精度テラヘルツエリプソメトリと呼ばれる光学技術を改良し、窒化ガリウム（GaN）ウエハに対する非接触／非破壊による検査の精度…

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