タグ：GaN半導体
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半導体の非破壊評価の精度を10倍以上に――高精度テラヘルツエリプソメトリを改良 大阪大ら
大阪大学は2021年9月15日、同大学のレーザー科学研究所と日邦プレシジョンなどの研究グループが高精度テラヘルツエリプソメトリと呼ばれる光学技術を改良し、窒化ガリウム（GaN）ウエハに対する非接触／非破壊による検査の精度…詳細を見る-
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GaN半導体の結晶欠陥を非破壊で識別する技術を開発――多光子励起フォトルミネッセンス法を用い貫通転移を観察 大阪大学
大阪大学は2021年4月28日、同大学院工学研究科の研究グループが、多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて窒化ガリウム（GaN）半導体の貫通転位という欠陥を観察し識別する技術を開発したと発表した。半導体を一切加工せずに…詳細を見る-
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非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出――産総研と名古屋大が技術開発
産業技術総合研究所は2018年5月22日、名古屋大学と共同で、ラマンマッピング像から窒化ガリウム（GaN）半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発したと発表した。欠陥の分布や方向を非破壊で特定することができ、GaN半導体単結…詳細を見る-
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