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タグ：次世代ロジック半導体

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  • 2023-2-14
  • ニュース, 技術ニュース, 電気・電子系
  • MoS2, Sb2Te3, TMDC, スパッタリング法, ファンデルワールス界面, 低コンタクト抵抗材料, 東京都立大学, 次世代ロジック半導体, 産業技術総合研究所, 産総研, 研究, 遷移金属ダイカルコゲナイド

  次世代ロジック半導体開発に貢献する、低コンタクト抵抗技術を共同開発　産総研と東京都立大学

  産業技術総合研究所（産総研）は2023年2月10日、2次元材料MoS2と層状Sb2Te3のファンデルワールス界面形成による低コンタクト抵抗技術を、東京都立大学と共同で開発したと発表した。同技術は次世代ロジック半導体開発に…

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