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原子層半導体の一次元構造化に成功 岡山大学などの研究グループ
岡山大学は2023年5月12日、同大学大学院などの研究グループが酸化タングステンナノワイヤの成長を介した新しい化学気相成長法を用いて、原子レベルに薄い半導体材料の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)の「ナノリボン」と呼…詳細を見る -
次世代ロジック半導体開発に貢献する、低コンタクト抵抗技術を共同開発 産総研と東京都立大学
産業技術総合研究所(産総研)は2023年2月10日、2次元材料MoS2と層状Sb2Te3のファンデルワールス界面形成による低コンタクト抵抗技術を、東京都立大学と共同で開発したと発表した。同技術は次世代ロジック半導体開発に…詳細を見る