タグ：遷移金属ダイカルコゲナイド
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原子層半導体の一次元構造化に成功 岡山大学などの研究グループ
岡山大学は2023年5月12日、同大学大学院などの研究グループが酸化タングステンナノワイヤの成長を介した新しい化学気相成長法を用いて、原子レベルに薄い半導体材料の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）の「ナノリボン」と呼…詳細を見る-
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次世代ロジック半導体開発に貢献する、低コンタクト抵抗技術を共同開発 産総研と東京都立大学
産業技術総合研究所（産総研）は2023年2月10日、2次元材料MoS2と層状Sb2Te3のファンデルワールス界面形成による低コンタクト抵抗技術を、東京都立大学と共同で開発したと発表した。同技術は次世代ロジック半導体開発に…詳細を見る-
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半導体原子シートである遷移金属ダイカルコゲナイドの新たな合成機構を解明――単結晶原子シートの大規模集積化合成にも成功 東北大学
東北大学は2019年9月10日、原子オーダーの厚みを持つ半導体原子シートである遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の新たな合成機構の解明に成功したと発表した。 TMDはモリブデン（Mo）やタングステン（W）などの遷…詳細を見る-
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ストレイントロニクスを利用したナノスケールトランジスタの開発
ロチェスター大学の研究チームが、強誘電体の圧電効果を利用して機械的ひずみを与えることにより、2次元材料を半金属状態から半導体状態へ、瞬間的かつ可逆的にスイッチングさせることに成功した。小型化の限界が近づく電界効果トランジ…詳細を見る-
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原子厚の半導体材料を自在に接合――遷移金属ダイカルコゲナイドの新たな合成技術を開発 筑波大学ら
筑波大学は2019年6月21日、首都大学東京と共同で、遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の新たな合成技術を開発したことで、1原子レベルで組成が変化する半導体原子層の接合構造を実現、その構造と電気的性質を解明したと発表し…詳細を見る-
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理研・東大・東工大など、遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるトポロジカルな電子状態の発現原理を発見
理化学研究所、東京大学、東京工業大学、セント・アンドルーズ大学は2017年12月8日、遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）でトポロジカルな電子状態やディラック電子状態が発現する一般的な原理を発見したと発表した。 ト…詳細を見る-
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東北大、2次元シートを使った透明で曲がる太陽電池の開発に成功
東北大学の加藤俊顕准教授らの研究グループは2017年9月21日、原子オーダーの厚みを持つシート材料である遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）を用いて、透明でフレキシブルな太陽電池の開発に成功したと発表した。 原子オ…詳細を見る-
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