タグ：MoS2
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次世代ロジック半導体開発に貢献する、低コンタクト抵抗技術を共同開発 産総研と東京都立大学
産業技術総合研究所（産総研）は2023年2月10日、2次元材料MoS2と層状Sb2Te3のファンデルワールス界面形成による低コンタクト抵抗技術を、東京都立大学と共同で開発したと発表した。同技術は次世代ロジック半導体開発に…詳細を見る-
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LEDの発光色を自由にカスタマイズ――2D材料を積層した「人工半導体」を開発
ジュネーヴ大学とマンチェスター大学の共同研究チームが、原子数個分の厚さの2D材料を積層したヘテロ構造により、任意の色を発光できる半導体デバイスを作成する手法を考案した。遷移金属カルコゲナイドなどの2D材料を組み合わせて積…詳細を見る-
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厚さわずか10原子、電子デバイス用超薄型ヒートシールドを開発
スタンフォード大学の研究チームが、数種類の2D薄膜を積層することにより、厚さわずか10原子の電子デバイス用ヒートシールドを開発した。100倍も厚いガラスシートと同程度の高い熱遮蔽効果を持つことを実証したものであり、将来的…詳細を見る-
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3Dだけでなく“2D”にも注目――MOS2単層を載せた光ナノ共振器、照射した光を70％近く吸収
3Dプリンタなど、これまで2Dだったものを3D化する動きがある一方で、エレクトロニクスやフォトニクスの領域では「2D」に注目が集まっているようだ。 2016年4月に科学誌『2D Materials』が掲載した論文「…詳細を見る-
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