タグ：異常ホール効果
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反強磁性体に歪みを加えることで「0」と「1」を制御――不揮発性メモリの記憶速度が従来の強磁性体の100~1000倍に
東京大学を中心とした国際研究チームは、反強磁性体のMn3Snに、一軸性の歪みを加えることで、異常ホール効果の符号が制御可能であることを実証した。「0」と「1」の情報に対応する信号を検出／制御できるという。研究成果は、20…詳細を見る-
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磁性半導体における、異常ホール効果値の磁化に比例しない振る舞いを発見 理研と東大
理化学研究所（理研）は2018年7月21日、東京大学と共同で、「磁性半導体」であるチタン酸ユーロピウム（EuTiO3）の高品質単結晶薄膜を作製し、通常は磁化に比例する異常ホール効果の値が、磁化に伴ってさまざまな値をとるこ…詳細を見る-
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