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タグ：Mn3Sn

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  • 2022-11-5
  • 制御・IT系, 技術ニュース, 海外ニュース
  • Mn3Sn, Nature Physics, ピエゾ磁気効果, 半導体メモリ, 反強磁性体, 学術, 抵抗測定用圧電歪み測定ステージ, 東京大学, 異常ホール効果, 磁気抵抗メモリ（MRAM）

  反強磁性体に歪みを加えることで「0」と「1」を制御――不揮発性メモリの記憶速度が従来の強磁性体の100~1000倍に

  東京大学を中心とした国際研究チームは、反強磁性体のMn3Snに、一軸性の歪みを加えることで、異常ホール効果の符号が制御可能であることを実証した。「0」と「1」の情報に対応する信号を検出／制御できるという。研究成果は、20…

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