タグ:磁気メモリーデバイス
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超小型メモリーデバイスの可能性――常温で強磁性を示す2D薄膜磁性体材料を開発
国立ローレンス・バークレー研究所とカリフォルニア大学バークレー校の研究チームは、常温でも強磁性を示す1原子厚さの2D薄膜磁性体材料を開発した。コバルト添加のファンデルワールス酸化亜鉛(ZnxCo1-x)Oの2D薄膜であり…詳細を見る -
反強磁性体をベースに新しい磁気メモリーデバイスを開発――ビッグデータ処理のボトルネック解消に
米ノースウェスタン大学は、2020年2月10日、伊メッシーナ大学と共同で、反強磁性体を基に、増え続ける消費電力、容量、読み書き速度の需要に対応できる可能性がある新しい磁気メモリーデバイスを開発したと発表した。研究成果はオ…詳細を見る