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タグ：立命館大学総合科学技術研究機構

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  • 2023-11-17
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • GeO₂, GeO₂エピ製膜技術, GeO₂薄膜, Patentix, PhantomSVD, PhantomSVD法, ファントム局所的気相成長, 二酸化ゲルマニウム, 研究, 立命館大学, 立命館大学総合科学技術研究機構, 製膜

  世界初、Phantom SVD法で二酸化ゲルマニウムを4インチSiウエハ上に製膜　立命館大学、Patentix

  立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授らは2023年11月16日、Patentixと共同で、世界で初めて、Phantom SVD（ファントム局所的気相成長）法により、二酸化ゲルマニウム（GeO2）を4インチSiウ…

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