絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）

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  • 2019-5-29
  • ニュース, 技術ニュース, 電気・電子系
  • CMOS, IBGTスケーリング, スイッチング制御, 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）, 東京大学生産技術研究所, 研究, 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）

  3300V級シリコンIGBTのスイッチングを、従来の3分の1の5Vで制御することに成功　東京大学など

  新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は2019年5月28日、NEDOプロジェクトにおいて、東京大学生産技術研究所を中心とする研究グループが、3300V級シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）のスイ…

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