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タグ：貫通転移

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  • 2021-5-6
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • GaN半導体, GaN（窒化ガリウム）, 多光子励起フォトルミネッセンス法, 大阪大学, 研究, 結晶欠陥, 貫通転移, 非破壊検査

  GaN半導体の結晶欠陥を非破壊で識別する技術を開発――多光子励起フォトルミネッセンス法を用い貫通転移を観察　大阪大学

  大阪大学は2021年4月28日、同大学院工学研究科の研究グループが、多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて窒化ガリウム（GaN）半導体の貫通転位という欠陥を観察し識別する技術を開発したと発表した。半導体を一切加工せずに…

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