タグ：GaN（窒化ガリウム）
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GaN半導体の結晶欠陥を非破壊で識別する技術を開発――多光子励起フォトルミネッセンス法を用い貫通転移を観察 大阪大学
大阪大学は2021年4月28日、同大学院工学研究科の研究グループが、多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて窒化ガリウム（GaN）半導体の貫通転位という欠陥を観察し識別する技術を開発したと発表した。半導体を一切加工せずに…詳細を見る-
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高速ワイヤレス通信を可能にするGaN系高電子移動度トランジスタを開発
デラウェア大学の電気およびコンピューター工学科のYuping Zeng助教授らにより、高速無線通信を可能にするトランジスタが開発された。化合物半導体で作製される高電子移動度トランジスタ（High Electron Mob…詳細を見る-
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【東京モーターショー2019】自動車を変える新技術――産官学連携で目指す次世代モビリティ
2019年10月24日～11月4日の日程で開催されている「第46回東京モーターショー」。MaaS（Mobility as a Service）や次世代モビリティといったキーワードと共に、これまでの自動車産業主体のモーター…詳細を見る-
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