遷移金属カルコゲナイドに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：遷移金属カルコゲナイド

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  • 2020-3-6
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • 2D材料, InSe, MoS2, MoSe2, Nature Materials, WS2, ジュネーヴ大学, ファンデルワールス力, ヘテロ構造, マンチェスター大学, 人工半導体, 光半導体, 半導体デバイス, 学術, 遷移金属カルコゲナイド

  LEDの発光色を自由にカスタマイズ――2D材料を積層した「人工半導体」を開発

  ジュネーヴ大学とマンチェスター大学の共同研究チームが、原子数個分の厚さの2D材料を積層したヘテロ構造により、任意の色を発光できる半導体デバイスを作成する手法を考案した。遷移金属カルコゲナイドなどの2D材料を組み合わせて積…

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