電気抵抗スイッチング特性に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：電気抵抗スイッチング特性

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  • 2024-7-19
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • Siウェハ基板, Si基板, スピンコート法, バッファ層, 強誘電体結晶薄膜, 東京大学, 東京大学大学院工学系研究科, 研究, 脳機能模倣素子, 製膜, 酸素欠陥量, 電気抵抗スイッチング特性

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