100μm長レーザー発振に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：100μm長レーザー発振

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  • 2022-10-18
  • ニュース, 技術ニュース, 電気・電子系
  • 100μm長レーザー発振, GaN系微小光源, Si基板, マイクロLED, 京セラ, 剥離, 成膜技術, 新工法, 短共振器レーザー

  独自成膜技術によるGaN系微小光源の基板と新工法を開発――100μm長レーザー発振を実現　京セラ

  京セラは2022年10月17日、GaN系微小光源を作製するためのSiをベースとした独自基板と同基板を用いた新しい工法を開発し、100μm長レーザーの発振を実現したと発表した。同社によると世界初となる。 素子の一辺が…

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