FET（フィールド・エフェクト・トランジスタ）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：FET（フィールド・エフェクト・トランジスタ）

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  • 2019-6-6
  • ニュース, 技術ニュース, 電気・電子系
  • 2019年版 次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望, FET（フィールド・エフェクト・トランジスタ）, GaNパワー半導体, SBD（ショットキー・バリア・ダイオード）, SiCパワー半導体, SiC－FET, SiC－SBD, Siパワー半導体, パワーエレクトロニクス機器, パワー半導体, 富士経済, 酸化ガリウム系パワー半導体

  2030年のパワー半導体の世界市場、2018年比でSiCは4230億円（10.8倍）、GaNは1085億円（60.3倍）に　富士経済予測

  パワー半導体市場規模は全体として堅調に推移 富士経済は2019年6月5日、自動車／電装分野を中心に需要増加が期待されるパワー半導体の世界市場を調査し、その結果を「2019年版 次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場…

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