2030年のパワー半導体の世界市場、2018年比でSiCは4230億円(10.8倍)、GaNは1085億円(60.3倍)に 富士経済予測

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富士経済は2019年6月5日、自動車/電装分野を中心に需要増加が期待されるパワー半導体の世界市場を調査し、その結果を「2019年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」として発表した。

この調査では、現状の主軸であるSiをはじめ、SiCやGaNといった次世代、酸化ガリウム系などの次々世代を含めたパワー半導体16品目を調査。さらには、構成部材17品目と製造装置21品目、パワーエレクトロニクス機器30品目の市場について現状を分析し、将来を予測した。

まず、全体としてパワー半導体市場は堅調に拡大。2018年の合計は3兆円弱に達したと報告している。

中でも、SiCパワー半導体市場について、2018年は前年比41.8%増の390億円と報告。現状はSiC-SBD(ショットキー・バリア・ダイオード)が7割を占め、SiC-FET(フィールド・エフェクト・トランジスタ)も自動車/電装分野を中心に伸びているという。そして、2022年頃からは、自動車/電装分野の需要増加が期待され、大型商用車や高級車から採用が広がり、2025年頃には大衆車でも採用されると予想。2030年には2018年比10.8倍の4230億円を見込んでいる。

また、GaNパワー半導体市場は、立ち上がりが遅れているものの、今後の高耐圧化などによって自動車/電装分野などを中心に幅広く採用されると予測。当面は市場拡大のペースは緩やかだが、2022年以降の本格的な需要増加が想定され、2030年には2018年比60.3倍の1085億円に達すると予想している。

一方、酸化ガリウム系パワー半導体市場は、SBDの量産化が予定されている2019年に本格的に立ち上がると予想。また、2020年頃にはFETのサンプル出荷が予定され、その後実用化が進むとみている。そして、2030年には1542億円に達すると予想している。

Siパワー半導体については、2018年は前年比7.5%増の2兆9342億円と報告。中国市況の悪化により、2019年以降は伸びが鈍化するものの、自動車/電装分野での需要増加が市場拡大をけん引するとみており、2030年には2018年比45.1%増の4兆2567億円と予測している。

Siパワー半導体の世界市場

パワー半導体構成部材の世界市場は、2018年は2087億円と報告。現状は、パワー半導体市場の拡大に伴い、構成部材の需要も増加。今後も自動車の電動化などにより、構成部材市場も拡大すると予想しており、2030年には2018年比2.8倍の5771億円に達するとみている。

パワー半導体構成部材の世界市場

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