Manus Hayneに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：Manus Hayne

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  • 2022-3-19
  • 技術ニュース, 機械系, 海外ニュース
  • Advanced Electronic Materials, DRAM, GaAs（ガリウムヒ素）, GaSb（ガリウムアンチモン）, Manus Hayne, ULTRARAM, シリコンウェハ, ストレージ, フラッシュメモリ, メモリ, ユニバーサルメモリ, ランカスター大, ワーキングメモリ, 化合物半導体, 学術

  フラッシュメモリとDRAMの良いとこ取り――高速不揮発性メモリ「ULTRARAM」を開発

  英ランカスター大の研究チームは、フラッシュメモリの不揮発性とDRAMの高速性を兼ね備えた、新しいタイプのメモリ「ULTRARAM」を開発し、初めてシリコンウェハ上に形成したと発表した。低消費電力で効率的な電荷貯蔵型メモリ…

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