タグ：SiC－MOSFET
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三菱電機と東大、SiCパワー半導体素子の3種類の抵抗要因の影響度を解明
三菱電機は2017年12月5日、東京大学と共同でパワー半導体モジュールに搭載するSiC（炭化ケイ素）パワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する、電子散乱を起こす3種類の要因のそれぞれの影響度を解明したと発表した。同社による…詳細を見る-
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三菱電機、電力損失が世界最小クラスのSiCパワー半導体素子を開発
三菱電機は2017年9月22日、電流を高速に遮断する保護回路無しで使える、電力損失が世界最小クラスのSiCパワー半導体素子を開発したと発表した。 パワー半導体は、家電製品から産業用途、鉄道車両など幅広い分野で使用さ…詳細を見る-
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