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タグ：SiC-CMOS

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  • 2017-9-19
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • CMOS集積回路技術, SiC-CMOS, 日立製作所, 炭化ケイ素（SiC）

  日立、高温や放射線に耐性を持つ炭化ケイ素（SiC）を用いたCMOS集積回路技術を開発

  日立製作所は2017年9月14日、高温および放射線耐性に優れた炭化ケイ素（SiC）を用いたCMOS集積回路技術を開発したと発表した。 CMOS集積回路は、IoT社会に不可欠なセンシングデータの信号処理に広く用いられ…

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