Sreetosh Goswamiに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：Sreetosh Goswami

• 
  • 2021-10-29
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • Nature, Sreebrata Goswami, Sreetosh Goswami, インダクタ, インメモリ・コンピューティング手法, エッジ・コンピューティング, キャパシタ, シンガポール国立大学（NUS), トランジスタ, フォン・ノイマン・ボトルネック, リガンド, 不揮発性DRAM, 分子メモリスタ, 学術, 抵抗器, 演算回路デバイス, 第4の受動素子, 論理回路, 論理演算回路

  半導体設計に革命をもたらす脳から着想を得たメモリデバイスを開発

  従来の論理回路や演算回路デバイスはあらかじめ定義された動作をトランジスタと配線の組み合わせで実現している。シンガポール国立大学（NUS)の物理学者たちは、国際的な研究チームとともに、優れた記憶再構成能力を持つ新しい分子メ…

  詳細を見る

  • Tweet
  •