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東工大、室温かつ溶液塗布で製膜できる透明p型アモルファス半導体を開発――正孔の移動度はn型透明アモルファス半導体IGZOに匹敵
東京工業大学は2018年2月16日、液相から合成できる高移動度の透明p型アモルファス半導体の設計指針を考案し、Cu－Sn－I系半導体で実現したと発表した。 アモルファス半導体は、均質で大面積の薄膜が容易に作製できる…詳細を見る-
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