タグ：IGZO
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電子デバイスの製造方法を変革する可能性がある、簡素化された回路設計
英サリー大学は、2020年8月3日、ケンブリッジ大学とローマ国立研究所と共同で、ウェアラブル機器などへの応用が期待される簡素化された回路設計の実証試験を行ったと発表した。研究成果は『IEEE Sensors Journa…詳細を見る-
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ディープラーニングを高速化する三次元集積デバイスを開発――酸化物半導体IGZOと不揮発性メモリーを集積 東大
東京大学は2020年6月14日、ディープラーニングの計算を高速化する酸化物半導体IGZOと不揮発性メモリーを三次元集積した新たなデバイスを開発したと発表した。 同大学によると、ディープラーニングによる推論システムな…詳細を見る-
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IGZOチャネルを用いた低消費電力、大容量トランジスター型強誘電体メモリーを開発 東大
東京大学は2019年6月10日、極薄の金属酸化物半導体IGZOをチャネルとしたトランジスター型強誘電体メモリー（FeFET）の開発に成功したと発表した。 IoTの普及に伴いIoTデバイスは今後ますます低消費電力であ…詳細を見る-
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東工大、室温かつ溶液塗布で製膜できる透明p型アモルファス半導体を開発――正孔の移動度はn型透明アモルファス半導体IGZOに匹敵
東京工業大学は2018年2月16日、液相から合成できる高移動度の透明p型アモルファス半導体の設計指針を考案し、Cu－Sn－I系半導体で実現したと発表した。 アモルファス半導体は、均質で大面積の薄膜が容易に作製できる…詳細を見る-
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