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タグ：Yuping Zeng

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  • 2020-1-16
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • Applied Physics Express, GaN-HEMT, GaN（窒化ガリウム）, InAlN（窒化インジウムアルミニウム）, IoT, Yuping Zeng, デラウェア大学, トランジスタ, 化合物半導体, 学術, 電界効果型トランジスタ, 高速無線通信, 高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor：HEMT）

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  デラウェア大学の電気およびコンピューター工学科のYuping Zeng助教授らにより、高速無線通信を可能にするトランジスタが開発された。化合物半導体で作製される高電子移動度トランジスタ（High Electron Mob…

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