東京工業大学は2018年2月16日、液相から合成できる高移動度の透明p型アモルファス半導体の設計指針を考案し、Cu－Sn－I系半導体で実現したと発表した。
アモルファス半導体は、均質で大面積の薄膜が容易に作製できるため、ディスプレイへの応用に向いている。しかし、アモルファスの半導体は、電子や正孔が動きにくいため、高精細な液晶ディスプレイや有機ELディスプレイの駆動には適用できなかった。
一方、研究グループは、既にディスプレイの駆動に使われているn型アモルファス酸化物半導体のIGZOを開発。n型半導体では、結晶と同等の移動度を持つアモルファス半導体を実現させていた。しかし、p型半導体では同様の機能を持った半導体は実現していなかった。
研究グループは今回、化学結合と構成イオンの軌道の広がりを基に、新たな物質設計指針を考案。Cu（銅）－Sn（スズ）－I（ヨウ素）という3成分系に着目、原料を溶媒に溶かし、室温で塗布することで、IGZOに迫る6～9cm2/Vsという高移動度の透明p型アモルファス半導体の薄膜を得ることに成功した。
また、同薄膜を用いれば、プラスチック基板上に透明pn接合が容易に形成できるので、曲がる透明な電子回路開発に道が拓けると説明。透明n型アモルファス酸化物半導体（TAOS）に匹敵する新しい物質群の創製が期待されるとしている。
