- 2017-5-11
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- FRAM, MB85RS128TY, MB85RS256TY, 不揮発性メモリー, 富士通セミコンダクター
（左）アプリケーションの例 （右）MB85RS256TYのパッケージ
富士通セミコンダクターは2017年5月10日、不揮発性メモリーのFRAM（強誘電体メモリー）ファミリーとして、125℃の高温環境で動作する128KビットFRAM「MB85RS128TY」および256KビットFRAM「MB85RS256TY」を開発したと発表した。現在評価サンプルを提供中で、7月から量産品の提供を開始する予定だ。
両製品は1.8～3.6Vの電源電圧をもち、最大33MHzで動作可能なSPIインターフェースのメモリーだ。動作温度範囲は-40〜＋125℃で、書換え回数は125℃の環境下において10兆回を保証している。また信頼性試験においては、車載用ICの信頼性の規格であるAEC-Q100グレード1に準拠している。パッケージは8ピンSOP。
FRAMは不揮発性メモリーながら、高速書込み、高書換え耐性、低消費電力という特徴をもち、同社では1999年から量産品を供給している。近年ではウェアラブルデバイス、産業用ロボットやドローンへの採用もあるという。
ウェアラブルデバイスなどのバッテリー駆動機器では低消費電力が要求される一方、自動車向け機器や、産業用ロボットなどモーター機構を搭載する用途では、モーターの発熱で高温になるため、高温環境下でも動作を保証できる電子部品が必要となる。このような要望に応えて今回、従来のFRAM製品の動作温度範囲の上限を40℃拡大した新製品を開発した。
同社では今回の新製品を機に、高温動作、高信頼性が必要とされる自動車分野や産業機械分野に向けてFRAM製品の提供を進める。
