タグ：不揮発性メモリー
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強誘電体の傾斜したバンド構造を観測――高速、大容量のFeRAMや人工シナプスの開発へ
産業技術総合研究所（AIST）は2020年7月3日、大型放射光施設（SPring-8）の高輝度X線を用い、広角対物レンズを取り入れた新型の硬X線角度分解光電子分光実験により、強誘電体の電気分極に由来する傾斜したバンド構造…詳細を見る-
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ディープラーニングを高速化する三次元集積デバイスを開発――酸化物半導体IGZOと不揮発性メモリーを集積 東大
東京大学は2020年6月14日、ディープラーニングの計算を高速化する酸化物半導体IGZOと不揮発性メモリーを三次元集積した新たなデバイスを開発したと発表した。 同大学によると、ディープラーニングによる推論システムな…詳細を見る-
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熱による高速、高効率な磁極制御に成功――MRAMやAIハードウェアの低消費電力化に期待 阪大など
大阪大学、産業技術総合研究所（産総研）、科学技術振興機構（JST）は2018年12月3日、ナノサイズの磁石の磁極の向きを熱によって高速／高効率に制御することに成功したと発表した。 情報通信機器の低消費電力化のため、…詳細を見る-
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富士通セミコンダクター、125℃で動作する128Kビット／256KビットFRAMを開発
富士通セミコンダクターは2017年5月10日、不揮発性メモリーのFRAM（強誘電体メモリー）ファミリーとして、125℃の高温環境で動作する128KビットFRAM「MB85RS128TY」および256KビットFRAM「MB…詳細を見る-
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レアメタルを使わずスピントロニクスデバイス開発を可能にする研究成果を発表
慶應義塾大学理工学部の安藤和也准教授らは、スピントロニクス技術において、これまで不可欠とされてきたレアメタルではなく、自然酸化させた銅を用いることで、その性能を飛躍的に向上させることができたと発表した。科学技術振興機構（…詳細を見る-
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千葉工大と産総研など、600℃の高温環境で動作する不揮発性メモリを開発
千葉工業大学工学部機械電子創成工学科の菅洋志助教は、産業技術総合研究所の内藤泰久主任研究員、物質・材料研究機構の塚越一仁主任研究者と共同で、白金ナノギャップ構造を利用して600℃でも動作する不揮発性メモリ素子をはじめて開…詳細を見る-
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