京都大学は2018年8月9日、同大学の研究グループが京大発のベンチャー企業であるFLOSFIAと共同で、新規材料によるパワーデバイスとして、コランダム構造（α構造）の酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた絶縁効果型トランジスタ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：MOSFET）を開発し、ノーマリーオフ動作を実証することに世界で初めて成功したと発表した。
省エネ社会の実現に向けて、パワーデバイスの低損失化が期待されている。これまでパワーデバイスにはシリコン（Si）が用いられてきたが、これ以上の特性改善が期待しにくいことから、新規材料によるイノベーションが求められてきた。その最有力候補の一つであるGa2O3は、結晶構造の異なる五つの結晶多形が知られ、その中で最も物性値が良いものがコランダム構造である。
今回、同研究グループはコランダム構造のGa2O3を用いたMOSFETを試作し、従来は実現不可能とされてきたGa2O3デバイスにおけるノーマリーオフ動作（ゲート電圧が0Vのときに電流が流れず、電圧を上げると電流が流れること）の実証に成功した。
今回の成果により、電力変換器の小型化が数十分の一に及ぶことや、コスト低減効果が電力変換器全体の50％に及ぶことが期待できるという。
