- 2023-3-3
- 機械系, 製品ニュース
- 200Gbps EMLチップ, 200Gbps（112Gbaud PAM4）EMLチップ, CWDM4波長, ハイブリッド導波路構造, 三菱電機, 光デバイス, 光トランシーバー, 光ファイバー
三菱電機は2023年3月2日、独自のハイブリッド導波路構造を採用したCWDM4波長「200Gbps（112Gbaud PAM4）EMLチップ」を発表した。次世代データセンター向けの800Gbps、1.6Tbps光トランシーバーに搭載される光デバイスにおいて、従来の同社製100Gbps製品と比べ2倍の高速動作に対応する。
200Gbps EMLチップは、同一チップ上に、高光出力に優れる埋込型レーザーと、高消光比、広帯域に優れるハイメサ型変調器を集積した独自のハイブリッド導波路構造により、200Gbpsの高速動作と高消光比、高光出力を達成している。
112Gbaud PAM4 波形（back to back,Vpp=1.2V）
また、1271、1291、1311、1331nmのCWDM波長帯の4波長に対応。1本の光ファイバーに4つのチップの信号を合波させることで、800Gbpsの通信が可能。さらに、チップを8つに増やして搭載することで1.6Tbpsの光ファイバー通信に対応する。
200Gbps EMLチップは、2024年の発売、量産化を目指す。波長数を8波長に増加するなど、通信方式の多様化に対応する製品開発も進めていく。
