- 2024-6-3
- 化学・素材系, 製品ニュース
- 3DS-TSV, 3D積層技術, シリコンビア接続3次元積層DRAM, メモリー半導体, 住友ベークライト, 圧縮成形用封止材樹脂, 顆粒材
住友ベークライトは2024年5月31日、世界で初めて3DS-TSVメモリー(シリコンビア接続3次元積層DRAM)に対応した圧縮成形用封止材樹脂(顆粒材)を開発したと発表した。従来の液状樹脂に代わる封止材として、生産効率の向上とパッケージの品質向上が期待できる。2024年中に大手メモリーメーカーに採用される予定となっている。
半導体デバイスの小型化が進む中、メモリー半導体の3D積層技術(3D stacking)を実現するための技術として3DS-TSV(Through-Silicon Via)の採用が進んでいる。TSVはシリコンウェハー上に穿孔された微細な穴で複数の層を貫通。TSVの使用で複数の層を積層することが可能になり、デバイスの集積度の向上や機能を小スペースに収めることが可能になる。また、TSVを通じて電力供給が行われるため、電源消費の効率化でデバイスの省電力化にもつながる。
従来、チップの積層間の狭いギャップを充填するために、粘度が低く小粒径のフィラーを配合できる液状樹脂が採用されてきたが、液状樹脂にはパッケージ反りが大きい傾向があり、生産性やコストに課題があった。
同社は、狭ギャップ充填性とパッケージの反りの改善の両立を目指し、5μmカットフィラーの顆粒材を開発、製品化した。5μmと微細なサイズのため、狭い所にも充填が可能なうえ、低弾性レジンを採用してチップコーナーへのストレスを緩和。CTE(熱膨張率)をコントロールして反りの低減を実現した。
2024年中に、この製品を使った3DS-TSVの量産が開始される予定で、同社はさらに微細な3μmカット顆粒材の開発に取り組んでいる。