タグ：スピントランジスタ
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スピンの散乱や反射を大幅に低減する、単結晶酸化物スピントランジスタ素子を作製 東京大学
東京大学大学院工学系研究科の研究グループは2023年5月31日、単結晶酸化物を用いて、スピントランジスタの基本となる強磁性体、半導体、強磁性体構造からなる横型2端子素子を作製することで、従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比…詳細を見る-
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磁性絶縁体を用いて、グラフェンの電子スピンの向きを制御する新技術を開発――スピントランジスタの実現に向け前進
量子科学技術研究開発機構、物質・材料研究機構（NIMS）、筑波大学、慶應義塾大学らの研究グループは2018年4月4日、グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現に不可欠な、電子スピンの向きを制御する新技術を開発したと…詳細を見る-
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東北大学、層状半導体GaSeが大きなスピン軌道相互作用を示すことを発見
東北大学大学院工学研究科は2017年11月8日、層状半導体GaSe（セレン化ガリウム）が、従来のGaAs（ヒ化ガリウム）に比べて10倍以上大きなスピン軌道相互作用を示すことを発見したと発表した。GaSeが新しい電界効果ス…詳細を見る-
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