トランジスター型強誘電体メモリーに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：トランジスター型強誘電体メモリー

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  • 2019-6-11
  • ニュース, 制御・IT系, 技術ニュース
  • FeFET, HfO2, IGZO, トランジスター型強誘電体メモリー, 東京大学, 研究, 金属酸化物半導体

  IGZOチャネルを用いた低消費電力、大容量トランジスター型強誘電体メモリーを開発　東大

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