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タグ：パルス電源

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  • 2018-6-18
  • 制御・IT系, 技術ニュース
  • SACLA, SiC MOSFET, X線自由電子レーザー, シリコンカーバイド, チョッパーユニット, パルス電源, パワー半導体, 理化学研究所, 理研, 高輝度光科学研究センター

  理研ら、SiCパワー半導体を用いた高出力高安定化電源を開発――X線自由電子レーザーの利用拡大に貢献

  理化学研究所（理研）は2018年6月16日、高輝度光科学研究センター、ニチコンと共同で、パワー半導体デバイス「SiC MOSFET」を用いた、コンパクトなパルス電源を開発したと発表した。同電源は、高出力と高い安定性を両立…

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