タグ：シリコンカーバイド
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世界最小サイズのSiCショットキーバリアダイオードのサンプル提供を開始――低損失で高速なスイッチング動作に対応 新日本無線
新日本無線は2021年3月31日、世界最小サイズと高放熱を両立した650V／10Aのシリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード 「NJDCD010A065AA3PS」のサンプル提供を開始したと発表した。量産は202…詳細を見る-
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1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…詳細を見る-
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パワーデバイス材料SiCの電気特性を高分解能で測定する装置を開発 名工大
名古屋工業大学は2020年9月9日、富士電機、電力中央研究所、昭和電工、産業技術総合研究所と共同で、3ミクロンの空間分解能でSiC中の電気特性の微細な分布を測定する技術を確立し、設計通りにSiCパワーデバイス内部の構造が…詳細を見る-
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独自の酸化膜形成方法でSiCパワー半導体の高品質化に成功――SiCを酸化せずに表面に良質の酸化膜を形成 京都大学ら
京都大学は2020年8月24日、東京工業大学と共同で、SiCパワー半導体を高品質化する独自のSiCの酸化膜形成方法を開発したと発表した。 現在多くの半導体パワーデバイスにはシリコン（Si）が使用されているが、電気の…詳細を見る-
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グラフェン超伝導材料の原子配列を解明――薄くて柔らかい、原子スケールの2次元超伝導材料の開発に新たな道 東大ら
東京大学、早稲田大学、日本原子力研究開発機構、高エネルギー加速器研究機構の研究グループは2019年11月14日、これまで未解決だった超伝導を示す炭素原子層物質グラフェンとカルシウムの2次元化合物の原子配列を「全反射高速陽…詳細を見る-
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理研ら、SiCパワー半導体を用いた高出力高安定化電源を開発――X線自由電子レーザーの利用拡大に貢献
理化学研究所（理研）は2018年6月16日、高輝度光科学研究センター、ニチコンと共同で、パワー半導体デバイス「SiC MOSFET」を用いた、コンパクトなパルス電源を開発したと発表した。同電源は、高出力と高い安定性を両立…詳細を見る-
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東大と東北大、グラフェンとSiCの界面に潜む低エネルギーのフォノンを発見
東北大学と東京大学などは2017年10月19日、シリコンカーバイド（SiC）上に結晶成長させたエピタキシャルグラフェンにおいて、SiC基板とグラフェンの界面に潜む低エネルギーフォノンの存在を明らかにしたと発表した。今回の…詳細を見る-
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