完全分離型Nチャネルに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：完全分離型Nチャネル

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  • 2017-6-2
  • 製品ニュース, 電気・電子系
  • LDMOS, アナログパワー半導体, 人体帯電モデル, 完全分離型Nチャネル, 東芝

  東芝、人体帯電モデル耐量と負電圧耐性を両立した完全分離型Nチャネル-LDMOSを開発

  東芝は2017年6月1日、0.13μm（マイクロメートル）世代のアナログパワー半導体向けに、高い人体帯電モデル（HBM）耐量と負電圧耐性を両立した完全分離型Nチャネル-LDMOSの素子を開発したと発表した。 近年、…

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