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タグ:短絡耐量時間
2020-6-18
製品ニュース
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電気・電子系
1200V 第4世代SiC MOSFET
,
SiC MOSFET
,
オン抵抗
,
ダブルトレンチ構造
,
パワー半導体
,
ローム
,
寄生容量
,
短絡耐量時間
低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETを開発――車載主機インバータシステムの小型化/高効率化に貢献 ローム
ロームは2020年6月17日、低オン抵抗の「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発したと発表した。既存市場に加え、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源への採用を加速させ、さら…
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