ダブルトレンチ構造に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：ダブルトレンチ構造

• 
  • 2020-6-18
  • 製品ニュース, 電気・電子系
  • 1200V 第4世代SiC MOSFET, SiC MOSFET, オン抵抗, ダブルトレンチ構造, パワー半導体, ローム, 寄生容量, 短絡耐量時間

  低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETを開発――車載主機インバータシステムの小型化／高効率化に貢献　ローム

  ロームは2020年6月17日、低オン抵抗の「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発したと発表した。既存市場に加え、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源への採用を加速させ、さら…

  詳細を見る

  • Tweet
  -
  •