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2025-1-27
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600℃以上でも動作可能なメモリデバイスを開発 米ミシガン大学
米ミシガン大学は2024年12月9日、同大学の研究チームが600℃を超える環境でも動作可能な、新しいメモリデバイスを開発したと発表した。このデバイスは電子ではなく酸素イオンの移動に基づいて動作する。 従来のシリコン…
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