タグ：メモリデバイス
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600度の高温に耐えるメモリデバイスの開発
米ペンシルベニア大学の研究チームが、600度の高温に耐えるメモリデバイスを開発した。市販のディスクドライブの耐熱温度に比べて2倍以上にあたるという。耐熱特性は60時間以上維持され、優れた安定性と信頼性を示した。 同…詳細を見る-
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次世代半導体にむけて超低比誘電率「アモルファス窒化ホウ素」を開発――電子デバイスの小型化を加速
韓国の蔚山科学技術大学校（UNIST）をはじめとする国際研究チームは、メモリやロジックLSIの小型化を促進する新しい材料「アモルファス窒化ホウ素（a-BN）」を開発した。極めて低い誘電率を持ち、高耐圧で拡散バリア特性にも…詳細を見る-
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安価かつ簡便な液相法を用いてマルチフェロイック材料の作製に成功――次世代電気／磁気デバイスの開発に期待 豊橋技術科学大など
豊橋技術科学大学は2019年9月4日、高度なマルチフェロイック特性を示すナノ複合膜を、安価で簡便に作製できる液相プロセスを開発したと発表した。この成果により、低消費電力／大容量のメモリデバイスや空間光変調器、様々なセンサ…詳細を見る-
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