電子注入促進に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：電子注入促進

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  • 2019-5-21
  • ニュース, 技術ニュース, 電気・電子系
  • IE, IGBTスケーリング, ゲート電圧, シリコンIGBT, スイッチング, 三菱電機, 九州大学, 九州工業大学, 北九州環境エレクトロニクス研究所, 明治大学, 東京大学, 東京工業大学, 東芝デバイス＆ストレージ, 研究, 電子注入促進

  3300V級IGBTを5Vゲート電圧でスイッチングすることに成功――シリコンIGBTのさらなる性能向上が可能に　東大など

  東京大学は2019年5月20日、北九州環境エレクトロニクス研究所などと共同で、3300V級シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）のスイッチングを、ゲート電圧5Vの低電圧で駆動することに成功したと発表した。 …

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