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タグ：高精度SPICEモデル

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  • 2020-7-10
  • 製品ニュース, 電気・電子系
  • SiC MOSFET, SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ, パワーエレクトロニクス, 三菱電機, 回路シミュレーション, 高精度SPICEモデル

  パワー半導体「SiC-MOSFET」の高精度回路シミュレーション技術で回路設計の効率化へ　三菱電機

  三菱電機は2020年7月9日、パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」が搭載されるパワーエレクトロニクス機器設計時の回路シミュレーション技術として、高精度SPICEモデルを開発したと発表した。高精度S…

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