タグ:SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ
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パワー半導体「SiC-MOSFET」の高精度回路シミュレーション技術で回路設計の効率化へ 三菱電機
三菱電機は2020年7月9日、パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」が搭載されるパワーエレクトロニクス機器設計時の回路シミュレーション技術として、高精度SPICEモデルを開発したと発表した。高精度S…詳細を見る
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