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タグ：高速書き換え技術

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  • 2024-2-22
  • 制御・IT系, 製品ニュース
  • 22nmロジック混載MRAMプロセス, ISSCC 2024, MRAM, MRAMメモリセルアレイ, OTP, STT-MRAM, カスコード接続, スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ, マイコン, マイコンテストチップ, リードウィンドウ, ルネサス, ルネサス エレクトロニクス, 高速書き換え技術, 高速読み出し技術

  STT-MRAMの高速読み出し技術と、書き換え動作の高速化技術を開発　ルネサス

  ルネサス エレクトロニクスは2024年2月21日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）の読み出しと書き換え動作を高速化する技術を発表した。22nmロジック混載MRAMプロセスで、10.8M…

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