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タグ：nチャネルMOSFET形成

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  • 2024-1-26
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • CMOS, MOSFET, NIMS, nチャネルMOSFET形成, n型チャネル, n型チャネルダイヤモンドMOSFET, n型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ, ダイヤモンド, ダイヤモンドCMOS回路, ダイヤモンド半導体, ドレイン電流, モノリシック集積化, 微小電気機械システム（MEMS）, 物質・材料研究機構, 相補型金属酸化膜半導体, 相補型金属酸化膜半導体ダイヤモンド半導体, 研究, 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）, 集積回路

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