金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）

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  • 2024-1-26
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • CMOS, MOSFET, NIMS, nチャネルMOSFET形成, n型チャネル, n型チャネルダイヤモンドMOSFET, n型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ, ダイヤモンド, ダイヤモンドCMOS回路, ダイヤモンド半導体, ドレイン電流, モノリシック集積化, 微小電気機械システム（MEMS）, 物質・材料研究機構, 相補型金属酸化膜半導体, 相補型金属酸化膜半導体ダイヤモンド半導体, 研究, 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）, 集積回路

  世界初、ダイヤモンドのn型チャネル動作によるMOSFETを開発　NIMS

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  • 2021-7-21
  • 化学・素材系, 研究・技術紹介, 電気・電子系
  • 4004, AT&Tベル研究所, CMOS（Complementary MOS）, IoT（モノのインターネット）, n型半導体, p型半導体, SoC（System-on-a-chip）, ULSI（Ultra-Large Scale Integration）, VSLI（Very Large Scale Integration）, インテル, エンジン・コントロール・ユニット（ECU）, サムスン電子, シリコン（Si）, ダイオード, テキサス・インスツルメンツ, トランジスタ, ヒ素（As）, ビジコン社, フェアチャイルドセミコンダクター, ボロン（B、ホウ素）, リン（P）, 半導体, 大規模集積回路（Large Scale Integration、LSI）, 導体, 接合型トランジスタ, 東京通信工業（現ソニーグループ）, 東芝, 真性半導体, 絶縁体, 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）, 集積回路（integrated circuit、IC）, 電流の流れやすさ（導電率）

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  • 2019-1-14
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
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