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2019-12-25
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スピンホール効果
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東京工業大学
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研究
巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果を実証――従来の3桁高い1.1%の抵抗変化を達成 東京工業大学
東京工業大学は2019年12月24日、トポロジカル絶縁体/強磁性半導体接合を用いて、巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗(USMR)効果を実証したと発表した。スピンホール効果が強いトポロジカル絶縁体と強磁性半導体を組み合わ…
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