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タグ：SOT-MRAM

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  • 2019-12-25
  • ニュース, 技術ニュース, 電気・電子系
  • MRAM, SOT-MRAM, USMR, スピンホール効果, トポロジカル絶縁体, 強磁性半導体, 東京工業大学, 研究

  巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果を実証――従来の3桁高い1.1％の抵抗変化を達成　東京工業大学

  東京工業大学は2019年12月24日、トポロジカル絶縁体／強磁性半導体接合を用いて、巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗（USMR）効果を実証したと発表した。スピンホール効果が強いトポロジカル絶縁体と強磁性半導体を組み合わ…

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