高性能サーバー向けに、低オン抵抗と高SOA耐量のNchパワーMOSFETを発売　ローム

• Tweet
• 

ロームは2025年2月26日、企業向け高性能サーバーやAIサーバー向けに、低オン抵抗と高SOA（安全動作領域）耐量のNchパワーMOSFET「RS7E200BG（30V）」「RS7N200BH（80V）」「RS7N160BH（80V）」を発表した。DFN5060-8S（5.0×6.0×1.0mm）パッケージを開発し、従来のHSOP8（5.0×6.0mm）パッケージに比べパッケージ内のチップ面積が約65％向上している。サンプル価格は1個710円（税別）となっている。

RS7E200BG（30V）は、企業向け高性能サーバーに用いられる12V系統電源のAC-DC変換回路の二次側、およびホットスワップコントローラー（HSC）4回路に最適なMOSFETとなっている。RS7N200BH（80V）とRS7N160BH（80V）は、AIサーバーに用いられる48V系統電源のAC-DC変換回路の二次側に向いている。

新開発のパッケージによって、オン抵抗特性がRS7E200BGで0.53mΩ（typ.）、RS7N200BHで1.7mΩ（typ.）となっており、サーバーの電源回路の高効率化に貢献する。

パッケージ内部のクリップデザイン形状を工夫することで放熱性を向上させた。アプリケーションの信頼性確保に寄与するSOA耐量も向上している。特にRS7E200BGは、従来のHSOP8パッケージ品に比べ、SOA耐量が70A以上（条件：パルス幅=1ms、V_DS=12V時）と、同条件で2倍を達成している。

生産拠点は、前工程がロームの滋賀工場、後工程がタイのOSATで、当面月産100万個の体制で量産する。同社は今後、AIサーバーのホットスワップコントローラー回路にも対応したパワーMOSFETの順次量産を2025年内に予定している。

関連情報

AIサーバー等の高性能サーバー向け、業界トップクラス^※の低オン抵抗・高耐量MOSFETを開発 | ローム株式会社 – ROHM Semiconductor